插入系列 超28亿！又一天价光刻机年底安设

音问东说念主士称插入系列，三星将于2024年第四季度至2025年第一季度运转安设其首台高数值孔径（High-NA）为0.55的EUV（极紫外）光刻机。该建立将主要用于研发指标，因为该公司正在诱骗需要High-NA EUV建立兑现分手率的下一代工艺技巧。三星还与日本Lasertec、JSR、东京电子和新想科技勾通诱骗High-NA生态系统。

据悉，ASML现在只分娩了8台Twinscan EXE:5000，其中英特尔购买了第一台，况且订购了多台。因此，有东说念主估计三星可能也曾取得ASML第8台Twinscan EXE:5000。

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三星的第一台ASML Twinscan EXE:5000 High-NA光刻系统将安设在该公司的华城园区，在那处它将诱骗其用于逻辑和DRAM的下一代制造技巧。值得小心的是，High-NA EUV建立的安设条目很复杂，因为它处治的是13.5nm波长的EUV光。因此，即使三星在2024年底前取得High-NA EUV建立，完成安设和校准也需要很永劫候。它可能要到2025年上半年能力全面参预晶圆分娩。

因此，三星的首款High-NA EUV光刻机将比英特尔晚一年摆布参预使用，但仍将最初于竞争敌手台积电和SK海力士。三星何时经受High-NA EUV进行量产还有待不雅察。

三星规划围绕High-NA EUV技巧诱骗重大的生态系统。除了购买High-NA EUV光刻建立外，三星还与日本Lasertec勾通诱骗有利用于High-NA光掩模的检测建立。据报说念，三星据称已购买Lasertec的High-NA EUV掩模检测器具Actis A300。

“与传统的EUV专用器具比较，使用High-NA EUV专用器具查验半导体掩模可将对比度晋升30%以上。”三星电子半导体规划所的Min Cheol-ki示意。

三星还与光刻胶制造商JSR和蚀刻机制造商东京电子勾通，为2027年前兑现High-NA EUV光刻系统的贸易化愚弄作念准备。三星还与新想科技勾通，从传统的电路筹备转向光掩模上的弧线图案。这一变化有望晋升印在晶圆上的电路的精度，这关于进一步改良工艺技巧至关弥留。

ASML的Twinscan EXE High-NA EUV建立将兑现8nm的分手率，大大改善现在的Low-NA EUV系统（单次曝光最大达13nm）。这一超越将使晶体管减轻约1.7倍，密度险些晋升3倍。固然Low-NA系统也不错达到这种分手率和密度，但它们需要腾贵而复杂的双重图案化工艺。转向High-NA EUV技巧有望排斥对双重图案化的需求，简化分娩，潜在地晋升产量并缩小老本。

兑现这些8nm要道尺寸，关于使用3nm以下工艺技巧分娩芯片至关弥留。有关词，在2nm级节点，险些通盘芯片制造商齐将使用双重图案化。英特尔还为Intel 20A（2nm）节点经受图案成型器具。英特尔只规划在Intel 14A（1.4nm）节点上使用High-NA EUV。

与此同期，向High-NA的飞跃也带来了一系列挑战。High-NA EUV建立更腾贵，售价达3.8亿~4亿好意思元（约合东说念主民币28.66亿元），其成像领域减半，这将需要对芯片筹备进行关键改换。此外，与Low-NA系统比较，High-NA EUV系统的尺寸更大插入系列，这意味着芯片制造商需要再行探讨其晶圆厂布局以顺应这些新建立。